Memoria EEPROM

MEMORIA EEPROM

Son las siglas de Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory.

Es un tipo de Meoria ROM  que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctrica mente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos UV (ultravioleta).

Son memorias no volatiles.

Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas  por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante llamada estructura SAMOS, su estado normal está cortado y su salida proporciona un 1 lógico.

Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, solo puede ser borrada y re programada entre 100 000 y un millón de veces.

Estos dispositivos se comunican mediante protocolos SPI y Microware.

La memoria Flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masovka mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunión de Aparatos Electrónicos de la IEE de 1984. Intel vio el potencial de la invención y en 1988 lanzó el primer chip comercial de tipo NOR.